DEPENDENTA CU TEMPERATURA A PARAMETRILOR TRANZISTORULUI

DEPENDENTA CU TEMPERATURA A PARAMETRILOR TRANZISTORULUI

O data cu variatia temperaturii, unele marimi caracteristice ale tranzistoru­lui variaza si ele. Cea mai pronuntata dependenta fata de temperatura o au carac­teristica de intrare si curentul rezidual de colector.

Caracteristica de intrare. O data cu cresterea temperaturii, caracteristica de intrare se deplaseaza spre stanga, inspre valori mai mici ale tensiunii de po­larizare directa (fig. 4.13). Se observa ca pentru obtinerea unui curent de aceeasi valoare sunt necesare, pe masura ce temperatura creste, tensiuni de polarizare din ce in ce mai mici sau, privind altfel problema, la o aceeasi tensiune aplicata intre baza si emitor, o data cu cresterea temperaturii, se obtin curenti din ce in ce mai mari. Aceasta proprietate trebuie luata in consideratie, deoarece la cresteri mari de temperatura, valorile mari ale curentului pot determina distrugerea jonctiunii prin efect termic.

Curentul rezidual de colector I_CBo (I_CEo)- in general, se poate considera ca i_CBo se dubleaza la fiecare crestere de 9°C pentru Ge si la fiecare crestere de 6°C pentru Si.

Desi dublarea se face mai rapid la Si decat la Ge, se prefera, in ceea ce priveste I_CBo, folosirea tranzistoarelor cu Si, deoarece la temperatura camerei valoarea curentului rezidual este mult mai mica la Si (nA = 10^-9 A, decat la Ge (μA ~ 10^-6 A).

In general, la tranzistoarele cu Si importanta lui icB0 se poate neglija pentru temperaturi ale jonctiunii sub 100°C, pe cand la Ge el trebuie luat in consi­deratie cand temperatura jonctiunii depaseste 80°C.